CS500PS PECVD & Sputter-System für a-Si/µc-Si & TCO
- Cluster-System für Sensoren
- 2 Eingabe-/Ausgabeschleusenkammern, Transferkammer, 6 Prozesskammern
- Heizen, PECVD, Sputtern
- Ø 6", Ø 8"
Anwendung
- PECVD von a-Si:H/µc-Si:H und anderen Si-Legierungen, intrinsisch und dotiert, für Si-Dünnschicht-Solarzellen
- Sputtern von TCO
- Substratvorbehandlung
- Beschichtung von Si-Wafer Ø 6" und 8", Substrat-Face-up-Regime
- Fertigung, raumkompatibel
Technologie
Substratvorbehandlung
- Substratheizung, Substrattemperaturen bis 300oC
- HF-Sputter-Ätzen, in der Sputter-Kammer
Deposition
- PECVD von a-Si:H und SiC, P- und B-Dotierung, Inhomogenität der Schichtdicke ≤± 3 %, Substratheizung bis 300 oC, Substrat-Face-up-Regime
- Plasmachemische Reinigung der PECVD-Kammer mittels SF6/O2 oder NF3
- Reaktives HF-Magnetron-Sputtern von ZnO:Al, Substrat-Face-up-Regime; Schichtdickeninhomogenität ≤± 10 %, Transmission (450-800 nm) ≥ 80 %, Flächenwiderstand ≤ 20 Ω/□
Anlage
Ein- und Ausgabekammern 1 und 2
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Magazinhubwerk
- Ein- und Ausgabe mit Standard-Wafer-Magazinen
Transferkammer
- Al-Kammer
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- Vakuum-Roboter
- Rechteckschieber zu den Prozesskammern
- 2 separate Vorbehandlungsstationen mit Heizer
PECVD-Kammer PC 1, 2, 3, 4 und 5
- Gasgedichteter Reaktor in Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem und Feinvakuum-Prozesspumpsystem
- VHF-Parallelplatten-Elektrodensystem, 40,68 MHz, mit Gasdusche
- Heizer für Substrattemperaturen bis 300 oC
- 44-Kanal-Gasversorgung
- Abgasreinigungsanlage
Sputter-Kammer
- Edelstahlkammer, heiz- und kühlbar mit Wasser
- Kohlenwasserstofffreies Hochvakuum-Pumpsystem
- HF-Magnetron-Sputter-Quelle PPS-A250
- Schwenkbare Substratblende für Sputter-Quelle
- Substratträger mit HF-Vorspannung
- 2-Kanal-Gasversorgungssystem
- Startdruck ≤ 1 · 10-7 mbar
